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BC850B Diotec Semiconductor

Name: BC850B
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 18865067-5
Price: 528 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details BC850B Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW

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BC850B

Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW

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3000+	0.035 EUR

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95AF45F95F63C0D6&compId=bc846.pdf?ci_sign=6ad0ccfb969fb847fb28521248c59255b71b5d6a

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A

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585+	0.12 EUR
981+	0.073 EUR
1598+	0.045 EUR
2243+	0.032 EUR
2565+	0.028 EUR
6025+	0.012 EUR
6330+	0.011 EUR

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BC850B

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

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585+	0.12 EUR
981+	0.073 EUR
1598+	0.045 EUR
2243+	0.032 EUR
2565+	0.028 EUR
6025+	0.012 EUR
6330+	0.011 EUR

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW

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112+	0.16 EUR
186+	0.095 EUR
303+	0.058 EUR
500+	0.042 EUR
1000+	0.037 EUR

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B
Produktcode: 58678

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN

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17+	0.17 EUR
33+	0.086 EUR
100+	0.062 EUR
500+	0.046 EUR
1000+	0.039 EUR
3000+	0.026 EUR
9000+	0.021 EUR

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BC850B

NPN 45V, 0.1A, general purpose transistor SOT-23-3

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BC850B

Hersteller : DIOTEC

Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

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BC850B

Hersteller : DIOTEC

Description: DIOTEC - BC850B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200/450 @ 2 мA, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3

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BC850B

Hersteller : KEC

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,35; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 300; hFE = 200 @ 2 А, 5 В; Icutoff-max = 15 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC850B

Hersteller : NXP Semiconductors

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23

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BC850B

Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

Description: 45V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW

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BC850B

Hersteller : onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP

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BC850B

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_BC846SERIES_BC847SERIES_BC848SERIES_BC849-3160180.pdf

Bipolar Transistors - BJT

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BC850B

Hersteller : Nexperia

Bipolar Transistors - BJT

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BC850B

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R

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