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BC850BE6327HTSA1

BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies

848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.

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BC850BE6327HTSA1 BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies 848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850BE6327HTSA1 BC850BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
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