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BC850BLT1G

BC850BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41497 Stücke:
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Technische Details BC850BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 200...450
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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Anzahl Preis
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782+0.092 EUR
1000+0.072 EUR
1909+0.037 EUR
2488+0.029 EUR
3650+0.02 EUR
3847+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 200...450
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
auf Bestellung 29773 Stücke:
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3000+0.03 EUR
6000+0.025 EUR
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BC850BLT1G
Produktcode: 191751
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19324 Stücke:
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
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BC850BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC850BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC850BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 100mA 45V 225mW 100MHz BC850B, BC850, BC850BLT1, BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 smd ONS TBC850blt1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC850BLT1G BC850BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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