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BC850C,215

BC850C,215 Nexperia

bc849_bc850.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC850C,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia bc849_bc850.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia bc849_bc850.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC850C.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBA88FF2A910469&compId=BC850C.215.pdf?ci_sign=8dbfd265522a44d1f3576026a420d971732bc05c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 420...800
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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589+0.12 EUR
854+0.084 EUR
1019+0.07 EUR
2907+0.025 EUR
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Mindestbestellmenge: 417
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DBA88FF2A910469&compId=BC850C.215.pdf?ci_sign=8dbfd265522a44d1f3576026a420d971732bc05c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 420...800
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
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Produktcode: 177535
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia BC850C.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistor
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3000+0.042 EUR
6000+0.04 EUR
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC850C.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24240 Stücke:
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA PHGLS19371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA bc849_bc850.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : NEXPERIA bc849_bc850.pdf Trans Gp Bjt Npn 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin Sot-23 T/R
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BC850C,215 BC850C,215 Hersteller : Nexperia bc849_bc850.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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