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Technische Details BC850C,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC850C,215 nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.37 EUR
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BC850C,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC850C,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 1701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC850C,215 | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .1A NPN GP TRANS |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC850C,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 23783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC850C,215 | Hersteller : NXP |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R BC850C,215 BC850C.215 NXP TBC850c NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC850C,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 646000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC850C,215 Produktcode: 177535
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Gp Bjt Npn 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin Sot-23 T/R |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC850C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BC850C,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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