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BC856A,215

BC856A,215 NXP Semiconductors

1052162243076261bc856_bc857_bc858.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC856A,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC856, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856A,215 BC856A,215 NXP Semiconductors 1052162243076261bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856A,215 BC856A,215 NXP Semiconductors 1052162243076261bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856A,215 BC856A,215 NXP info-tbc858b.pdf Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1520+0.11 EUR
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3985+0.038 EUR
4902+0.03 EUR
6000+0.025 EUR
9000+0.024 EUR
15000+0.021 EUR
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
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112+0.19 EUR
182+0.12 EUR
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BC856A,215 BC856A,215 NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 318 Stücke:
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BC856A,215 BC856A,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 520 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856A,215 BC856A,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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BC856A,215 BC856A,215 Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1687 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
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BC856A,215 NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858_NXP.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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19737+0.033 EUR
100000+0.027 EUR
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 241500 Stücke:
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100000+0.027 EUR
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Hersteller: NXP
Transistor PNP; 250; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC856A-DIO; BCX71; 2SA1162; BC856A-7-F (DIODES); BC856ALT1G (ON); BC856A.215; BC856A,215; BC856A-DIO; BC856A,215 TBC856a
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BC856A,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1035+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1035 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856A,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41949 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
973+0.18 EUR
1520+0.11 EUR
2494+0.065 EUR
3473+0.045 EUR
3985+0.038 EUR
4902+0.03 EUR
6000+0.025 EUR
9000+0.024 EUR
15000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 973 Stücke
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
973+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 973 Stücke
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BC856A,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 2132 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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BC856A,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
318+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856A,215 bc856_bc857_bc858.pdf
BC856A,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856A,215 NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856A,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856A,215 NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856A,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856A,215 bc856_bc857_bc858.pdf
BC856A,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856A,215 BC856_BC857_BC858.pdf
BC856A,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856A,215 BC856_BC857_BC858_NXP.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1479 Stücke:
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