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BC856AFSWQ-7

BC856AFSWQ-7 Diodes Incorporated

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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
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Technische Details BC856AFSWQ-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 450 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Transistor Type: PNP
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 450 mW
Qualification: AEC-Q101
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