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BC856ALT1G

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Produktcode: 148854
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.033 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4066+0.036 EUR
9000+0.028 EUR
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
556+0.13 EUR
820+0.087 EUR
1220+0.059 EUR
1454+0.049 EUR
2156+0.033 EUR
2513+0.028 EUR
3165+0.023 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 23799 Stücke:
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100+0.18 EUR
157+0.11 EUR
256+0.069 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 17160 Stücke:
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8+0.36 EUR
19+0.15 EUR
100+0.081 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ONSEMI bc856alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26349 Stücke:
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1911 Stücke:
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BC856ALT1G BC856ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856ALT1G Hersteller : ONN bc856alt1-d.pdf
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC856ALT1G Hersteller : On Semiconductor bc856alt1-d.pdf TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC856ALT1G Hersteller : ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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