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BC856AS-7

BC856AS-7 Diodes Zetex

bc856as.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BC856AS-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Zetex bc856as.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC856AS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated BC856AS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012737750_1-2543877.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012737750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0012737750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Zetex bc856as.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC856AS-7 BC856AS-7 Hersteller : Diodes Zetex bc856as.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC856AS-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED BC856AS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC856AS-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED BC856AS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
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