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BC856ASQ-7-F

BC856ASQ-7-F Diodes Zetex


3177bc856asq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC856ASQ-7-F Diodes Zetex

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BC856ASQ-7-F BC856ASQ-7-F Hersteller : Diodes Zetex 3177bc856asq.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BC856ASQ-7-F BC856ASQ-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BC856ASQ.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC856ASQ-7-F BC856ASQ-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833296_1-2542139.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
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BC856ASQ-7-F BC856ASQ-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BC856ASQ.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC856ASQ-7-F BC856ASQ-7-F Hersteller : Diodes Inc 3177bc856asq.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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BC856ASQ-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED BC856ASQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC856ASQ-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED BC856ASQ.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
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