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BC856AW,115

BC856AW,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC856AW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia BC856W_BC857W_BC858W.pdf Bipolar Transistors - BJT BC856AW/SOT323/SC-70
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3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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127+0.17 EUR
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BC856AW,115 BC856AW,115 NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856AW,115 BC856AW,115 NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856AW,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6000+0.046 EUR
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC856AW/SOT323/SC-70
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AnzahlPrivatkunde
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21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BC856AW,115 BC856W_BC857W_BC858W.pdf
BC856AW,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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207+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.064 EUR
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BC856AW,115 PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856AW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
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Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
700+0.36 EUR
1139+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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BC856AW,115 PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC856AW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1585 Stücke:
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1139+0.2 EUR
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