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BC856AW,115

BC856AW,115 Nexperia USA Inc.

BC856W_BC857W_BC858W.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details BC856AW,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 483000 Stücke:
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
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Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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235+0.075 EUR
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia BC856W_BC857W_BC858W.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B JT
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23+0.12 EUR
100+0.076 EUR
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3000+0.039 EUR
9000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 846000 Stücke:
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749+0.2 EUR
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BC856AW,115 BC856AW,115 Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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1201+0.12 EUR
1954+0.07 EUR
2711+0.049 EUR
3096+0.041 EUR
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15000+0.023 EUR
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BC856AW,115 BC856AW,115 NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856AW,115 BC856AW,115 NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: Nexperia
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B JT
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AnzahlPreis
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23+0.12 EUR
100+0.076 EUR
500+0.055 EUR
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BC856AW,115
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 846000 Stücke:
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AnzahlPreis
749+0.2 EUR
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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1201+0.12 EUR
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3096+0.041 EUR
3788+0.032 EUR
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BC856AW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC856AW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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