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BC856AW

BC856AW DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF98F3ABC3EA1300D6&compId=bc856w.pdf?ci_sign=6d02cdf073547f605bcc8d642430de438e34eaa9 Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 120...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
834+0.086 EUR
1316+0.054 EUR
1624+0.044 EUR
1767+0.04 EUR
1961+0.036 EUR
2119+0.034 EUR
2284+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 834
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Technische Details BC856AW DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - BC856AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC856AW BC856AW Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF98F3ABC3EA1300D6&compId=bc856w.pdf?ci_sign=6d02cdf073547f605bcc8d642430de438e34eaa9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 120...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
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834+0.086 EUR
1316+0.054 EUR
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1767+0.04 EUR
1961+0.036 EUR
2119+0.034 EUR
2284+0.031 EUR
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 65V, 100mA, PNP
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19+0.15 EUR
100+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.037 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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BC856AW BC856AW Hersteller : DIOTEC bc856w.pdf Description: DIOTEC - BC856AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC856AW BC856AW Hersteller : DIOTEC bc856w.pdf Description: DIOTEC - BC856AW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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BC856AW BC856AW Hersteller : Diotec Semiconductor bc856w.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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BC856AW BC856AW Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY bc856w.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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