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BC856B/DG/B4R

BC856B/DG/B4R Nexperia

bc856_bc857_bc858.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
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Technische Details BC856B/DG/B4R Nexperia

Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 250 mW.

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BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
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BC856B/DG/B4R BC856B/DG/B4R Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
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