BC856B-QR Nexperia
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Technische Details BC856B-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 250 mW, Qualification: AEC-Q101.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC856B-QR | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC856B-QR | Nexperia |
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BC856B-QR | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC856B-Q/SOT23/TO-236AB |
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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| BC856B-QR |
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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| BC856B-QR |
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Bipolar Transistors - BJT BC856B-Q/SOT23/TO-236AB
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Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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