Technische Details BC856BDW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.
Weitere Produktangebote BC856BDW1T1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 16693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 4216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP |
auf Bestellung 63419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | onsemi |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 1921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC856BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
auf Bestellung 24640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BC856BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
auf Bestellung 24640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BC856BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4099+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.04 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14564+ | 0.045 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 16693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14564+ | 0.045 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3155+ | 0.056 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 400+ | 0.089 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1439+ | 0.12 EUR |
| 1985+ | 0.087 EUR |
| 2258+ | 0.075 EUR |
| 3000+ | 0.058 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 4216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 455+ | 0.19 EUR |
| 589+ | 0.14 EUR |
| 866+ | 0.099 EUR |
| 1031+ | 0.082 EUR |
| 1475+ | 0.057 EUR |
| 1678+ | 0.051 EUR |
| 1786+ | 0.048 EUR |
| 3000+ | 0.043 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 867+ | 0.2 EUR |
| 1407+ | 0.12 EUR |
| 1938+ | 0.088 EUR |
| 2208+ | 0.075 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 521+ | 0.33 EUR |
| 867+ | 0.19 EUR |
| 1407+ | 0.12 EUR |
| 1938+ | 0.081 EUR |
| 2208+ | 0.068 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 521+ | 0.33 EUR |
| 522+ | 0.32 EUR |
| 523+ | 0.31 EUR |
| 524+ | 0.3 EUR |
| 525+ | 0.29 EUR |
| 526+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 525+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 532+ | 0.33 EUR |
| 887+ | 0.19 EUR |
| 1439+ | 0.11 EUR |
| 1985+ | 0.08 EUR |
| 2258+ | 0.067 EUR |
| 3000+ | 0.051 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 517+ | 0.35 EUR |
| 862+ | 0.2 EUR |
| 1399+ | 0.12 EUR |
| 1927+ | 0.082 EUR |
| 2193+ | 0.069 EUR |
| BC856BDW1T1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
auf Bestellung 63419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.38 EUR |
| 15+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 3000+ | 0.071 EUR |
| 6000+ | 0.069 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 92+ | 0.23 EUR |
| 149+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 24640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC856BDW1T1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 24640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC856BDW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)







