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BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ONSEMI

2140510.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details BC856BDW1T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON-Semiconductor TBC856BDW1_0001.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1405+0.12 EUR
1935+0.088 EUR
2248+0.075 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI BC856BDW1T1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
589+0.14 EUR
866+0.099 EUR
1031+0.082 EUR
1475+0.057 EUR
1678+0.051 EUR
1786+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
831+0.21 EUR
1350+0.13 EUR
1859+0.09 EUR
2160+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
831+0.21 EUR
1350+0.12 EUR
1859+0.087 EUR
2160+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.33 EUR
501+0.32 EUR
502+0.31 EUR
503+0.3 EUR
504+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ON Semiconductor bc856bdw1t1d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
510+0.35 EUR
858+0.19 EUR
1405+0.12 EUR
1935+0.08 EUR
2248+0.067 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
auf Bestellung 31376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G onsemi BC856BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
146+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 22755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
532+0.46 EUR
885+0.26 EUR
1417+0.15 EUR
1927+0.11 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 22755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
532+0.46 EUR
885+0.26 EUR
1417+0.15 EUR
1927+0.11 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G TBC856BDW1_0001.pdf
BC856BDW1T1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1405+0.12 EUR
1935+0.088 EUR
2248+0.075 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
589+0.14 EUR
866+0.099 EUR
1031+0.082 EUR
1475+0.057 EUR
1678+0.051 EUR
1786+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
831+0.21 EUR
1350+0.13 EUR
1859+0.09 EUR
2160+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
831+0.21 EUR
1350+0.12 EUR
1859+0.087 EUR
2160+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.33 EUR
501+0.32 EUR
502+0.31 EUR
503+0.3 EUR
504+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G bc856bdw1t1d.pdf
BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
499+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
510+0.35 EUR
858+0.19 EUR
1405+0.12 EUR
1935+0.08 EUR
2248+0.067 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
auf Bestellung 31376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1-D.PDF
BC856BDW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 267 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
91+0.24 EUR
146+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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BC856BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 22755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
532+0.46 EUR
885+0.26 EUR
1417+0.15 EUR
1927+0.11 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BDW1T1G 2140510.pdf
BC856BDW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 22755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
532+0.46 EUR
885+0.26 EUR
1417+0.15 EUR
1927+0.11 EUR
2189+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 532 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH