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BC856BDW1T1G ON Semiconductor

Name: BC856BDW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 39877880-5
Price: 143.70 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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Technische Details BC856BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 380mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Weitere Produktangebote BC856BDW1T1G nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.32 EUR

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Beschreibung

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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14564+	0.037 EUR

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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BC856BDW1T1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

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3000+	0.059 EUR
6000+	0.053 EUR

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON-Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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1380+	0.1 EUR
1902+	0.075 EUR
2170+	0.064 EUR
3000+	0.05 EUR
6000+	0.038 EUR

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz

auf Bestellung 4736 Stücke:

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Anzahl	Preis
500+	0.14 EUR
676+	0.11 EUR
977+	0.073 EUR
1158+	0.062 EUR
1713+	0.042 EUR
1977+	0.036 EUR
3000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 2900 Stücke:

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Anzahl	Preis
864+	0.17 EUR
1403+	0.1 EUR
1935+	0.072 EUR
2198+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 864

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

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Anzahl	Preis
511+	0.28 EUR
851+	0.16 EUR
1380+	0.097 EUR
1902+	0.068 EUR
2170+	0.057 EUR
3000+	0.043 EUR
6000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 511

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

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Anzahl	Preis
500+	0.29 EUR
501+	0.28 EUR
502+	0.27 EUR
503+	0.26 EUR
504+	0.25 EUR
505+	0.24 EUR
1000+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R

auf Bestellung 2975 Stücke:

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Anzahl	Preis
504+	0.29 EUR
505+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 504

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BC856BDW1T1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP

auf Bestellung 69555 Stücke:

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9+	0.32 EUR
15+	0.19 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.088 EUR
1000+	0.077 EUR
3000+	0.06 EUR
6000+	0.053 EUR

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BC856BDW1T1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 8877 Stücke:

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Anzahl	Preis
56+	0.32 EUR
93+	0.19 EUR
150+	0.12 EUR
500+	0.086 EUR
1000+	0.076 EUR

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -

auf Bestellung 25285 Stücke:

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -

auf Bestellung 25285 Stücke:

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BC856BDW1T1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 380mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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