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BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G ON Semiconductor

bc856bdw1t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details BC856BDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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3031+0.052 EUR
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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1220+0.059 EUR
1360+ 0.053 EUR
1480+ 0.049 EUR
12000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1220
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ONSEMI bc856bdw1t1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.3W; SC70-6,SC88,SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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2045+0.076 EUR
2062+ 0.073 EUR
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3000+ 0.049 EUR
6000+ 0.045 EUR
15000+ 0.04 EUR
30000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2045
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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3000+0.088 EUR
6000+ 0.082 EUR
9000+ 0.068 EUR
30000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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529+0.3 EUR
742+ 0.2 EUR
751+ 0.19 EUR
2050+ 0.068 EUR
2071+ 0.065 EUR
2093+ 0.061 EUR
2696+ 0.046 EUR
3000+ 0.043 EUR
6000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 529
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : onsemi BC856BDW1T1_D-2310270.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual PNP
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103+0.51 EUR
144+ 0.36 EUR
230+ 0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 103
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : onsemi bc856bdw1t1-d.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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50+0.52 EUR
73+ 0.36 EUR
149+ 0.17 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 68841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140510.pdf Description: ONSEMI - BC856BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC856BDW1T1G BC856BDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.2A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 100032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC856BDW1T1G Hersteller : ON-Semicoductor bc856bdw1t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 BC856BDW1T3G BC856BDWT1G TBC856BDW1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300