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BC856BH RFG

BC856BH RFG Taiwan Semiconductor

bc856bhseries_a2504.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC856BH RFG Taiwan Semiconductor

Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor bc856bhseries_a2504.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
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BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=BC856BH Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -80V, -0.1A, PNP Transistor
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500+0.1 EUR
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BC856BH RFG BC856BH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC856BH Description: SOT-23, -80V, -0.1A, PNP TRANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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Frequency - Transition: 100MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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