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BC856BHZGT116

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856BHZGT116 BC856BHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC856BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR
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BC856BHZGT116 BC856BHZGT116 ROHM 4387126.pdf Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3944 Stücke:
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348+0.71 EUR
575+0.4 EUR
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BC856BHZGT116 BC856BHZGT116 ROHM 4387126.pdf Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC856BHZGT116
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .15A BJT TRANSR
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BC856BHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 350mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC856BHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC856BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 150 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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CDRH127/LDNP-150MC (15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 41273
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CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-150MC (15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 15 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: CDRH127
Abmessungen: 12,3x12,3 mm, h=8,0 mm
Betriebsstrom, A: 5,65 A
Warennummer: 8504 50 20 90
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DI115N06PQ
Produktcode: 221460
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Transistoren > MOSFET N-CH
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10uF 50V X7R 10% 1206 (CGA5L1X7R1H106K160AC)
Produktcode: 221531
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Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
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erwartet: 330 St.
  • 330 St. - erwartet 18.07.2026
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510 Ohm 1% 1/8W 75V 0603 (RK73H1JTTD5100F)
Produktcode: 221532
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Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
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erwartet: 1310 St.
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BLE32SN120SN1L
Produktcode: 221528
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ENFA0106.pdf?1656473424000
Drosseln > Induktivität 1210
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