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BC856BLT1G

BC856BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC856BLT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 300 mW.

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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3175
BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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2530+ 0.028 EUR
3070+ 0.023 EUR
3475+ 0.021 EUR
3680+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1180
BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
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308+ 0.17 EUR
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26340 Stücke:
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ONSEMI 1840529.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC856BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 65; Ic = 0,1; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 220 @ 2 мА, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 3110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
170+0.04 EUR
182+ 0.034 EUR
197+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 170
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1043 Stücke:
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BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BC856BLT1G Hersteller : On Semiconductor bc856alt1-d.pdf SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)