BC856BLT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 8334+ | 0.017 EUR |
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Technische Details BC856BLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC856BLT1G nach Preis ab 0.015 EUR bis 4.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP |
auf Bestellung 179348 Stücke: Lieferzeit 318-322 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC856BLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1750 Stücke: |
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| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
auf Bestellung 1043 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC856BLT1G |
BC856BLT1G Транзисторы |
auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BC856BLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - TRANSISTOR, PNP, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12018 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |