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BC856BLT1G ON Semiconductor


bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details BC856BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC856BLT1G BC856BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3195+0.055 EUR
3677+0.048 EUR
5292+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
863+0.099 EUR
1238+0.069 EUR
1425+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 62980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.23 EUR
152+0.14 EUR
249+0.084 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 113672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
926+0.27 EUR
1852+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
3135+0.068 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ONSEMI BC856ALT1-D.PDF Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 113672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
926+0.27 EUR
1852+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
3135+0.068 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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BC856BLT1G BC856BLT1G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
19+0.18 EUR
100+0.096 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BC856BLT1G BC856BLT1G On Semiconductor BC856ALT1-D.pdf SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.08 EUR
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BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BC856BLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1750 Stücke:
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BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3195+0.055 EUR
3677+0.048 EUR
5292+0.032 EUR
6000+0.031 EUR
15000+0.026 EUR
30000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 3195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856_7_8.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.15 EUR
863+0.099 EUR
1238+0.069 EUR
1425+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 62980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.23 EUR
152+0.14 EUR
249+0.084 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 113672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
926+0.27 EUR
1852+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
3135+0.068 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 113672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
926+0.27 EUR
1852+0.13 EUR
2422+0.088 EUR
3135+0.068 EUR
3650+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.43 EUR
19+0.18 EUR
100+0.096 EUR
500+0.065 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: On Semiconductor
SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.PDF
BC856BLT1G Транзисторы
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1750 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH