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BC856BMYL

BC856BMYL Nexperia

3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC856BMYL Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856BM.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 8819 Stücke:
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63+0.28 EUR
104+0.17 EUR
167+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.06 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia BC856BM.pdf Bipolar Transistors - BJT 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
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16+0.18 EUR
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500+0.08 EUR
1000+0.06 EUR
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5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : NEXPERIA BC856BM.pdf Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : NEXPERIA BC856BM.pdf Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : NEXPERIA 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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BC856BMYL Hersteller : NXP Semiconductors BC856BM.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15152+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15152
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia 3721796974016068bc856bm.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfcidbr.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC856BMYL Hersteller : NEXPERIA BC856BM.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC856BMYL BC856BMYL Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856BM.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
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BC856BMYL Hersteller : NEXPERIA BC856BM.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006-3; SOT883
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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