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BC856BW,115

BC856BW,115 Nexperia

bc856w_bc857w_bc858w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC856BW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
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6000+0.049 EUR
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 121601 Stücke:
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63+0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 63
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : Nexperia BC856W_BC857W_BC858W.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B
auf Bestellung 6361 Stücke:
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10+0.29 EUR
23+0.12 EUR
100+0.11 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
329+0.22 EUR
500+0.14 EUR
603+0.12 EUR
916+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA BC856W_BC857W_BC858W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 3110638.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 3110638.pdf Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17785 Stücke:
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BC856BW,115 BC856BW,115 Hersteller : NEXPERIA 1515642222250603bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans Gp Bjt Pnp 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin Sc-70 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC856BW,115 Hersteller : NXP BC856W_BC857W_BC858W.pdf Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135; BC856BW,115 NEXPERIA TBC856bw NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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