BC856BW,115 NXP
Hersteller: NXP
Transistor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC856BW,115; BC856BW,135; BC856BW.115; BC856BW.135; BC856BW,115 NEXPERIA TBC856bw NXP
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Technische Details BC856BW,115 NXP
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC856BW,115 nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BC856BW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BC856BW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
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| BC856BW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| BC856BW,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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MSL: -
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Verlustleistung: 200mW
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| BC856BW,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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| BC856BW,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323
tariffCode: 85412900
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MSL: -
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| 519+ | 0.49 EUR |
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