Technische Details BC856BW-QX Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC856BW-QX nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.054 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BC856BW-QX | Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BW-QX | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 498000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC856BW-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||
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BC856BW-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC856BW-QX |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12397+ | 0.054 EUR |
| 100000+ | 0.044 EUR |
| BC856BW-QX |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 12397+ | 0.054 EUR |
| 100000+ | 0.044 EUR |
| BC856BW-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 200mW
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC856BW-QX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856BW-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauerkollektorstrom: 100mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)