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BC857,215

BC857,215 Nexperia

bc856_bc857_bc858.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85366930, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NXP Semiconductors 1052162243076261bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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100000+0.029 EUR
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .1A PNP BJT
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27+0.11 EUR
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
167+0.11 EUR
193+0.092 EUR
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...800
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
410+0.17 EUR
613+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...800
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6270 Stücke:
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Anzahl Preis
250+0.29 EUR
410+0.17 EUR
613+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85366930
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9299 Stücke:
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002934945-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85366930
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9299 Stücke:
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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BC857,215 Hersteller : NXP SEMICONDUTORS BC856_BC857_BC858.pdf PNP 45V 100mA 250mW, 125-800, 100MHz, -55..150°C, SOT23
auf Bestellung 3261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
118+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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BC857,215 Hersteller : NXP BC856_BC857_BC858.pdf Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847; BC857,215; BC857 SOT23; BC857,215 TBC857
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857,215 BC857,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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Power - Max: 250 mW
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