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Technische Details BC857AFSW-7 Diodes Zetex
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 450 mW.
Weitere Produktangebote BC857AFSW-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BC857AFSW-7 | Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 450 mW |
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| BC857AFSW-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K |
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| BC857AFSW-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 450 mW
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 450 mW
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| BC857AFSW-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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