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BC857ALT1G

BC857ALT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857ALT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 300 mW.

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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : onsemi BC856ALT1_D-2310425.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC857 BC857 Hersteller : Rectron bc856_bc858-1396024.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,45V,L owNoise
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BC857 BC857 Hersteller : MULTICOMP PRO 3789259.pdf Description: MULTICOMP PRO - BC857 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 100MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857 Hersteller : Multicomp BC857
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BC857 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor BC857
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BC857 Hersteller : NXP PNP 45V 100m,A 250mW 100MHz BC847 BC857 SOT23 TBC857
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC857 Hersteller : NXP Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=45V; Ic=0,1A
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BC857ALT1G Hersteller : ONSEMI ONSMS38162-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC857ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 918000 Stücke:
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BC857ALT1G BC857ALT1G
Produktcode: 107176 		Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BC857 BC857 Hersteller : Rectron bc856-bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23
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BC857ALT1G BC857ALT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857 BC857 Hersteller : onsemi / Fairchild BC857-1300007.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar