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BC857AQAZ

BC857AQAZ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857AQAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857AQAZ BC857AQAZ Nexperia BC857XQA_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT1215 45V .1A PNP GP TRANS
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