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BC857AQAZ

BC857AQAZ Nexperia

bc857xqa_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857AQAZ Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 280 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BC857AQAZ BC857AQAZ Hersteller : NXP USA Inc. NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Qualification: AEC-Q101
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BC857AQAZ BC857AQAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857XQA_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC857AQAZ BC857AQAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857XQA_SER.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC857AQAZ BC857AQAZ Hersteller : Nexperia BC857XQA_SER.pdf NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
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BC857AQAZ Hersteller : NXP Semiconductors BC857XQA_SER.pdf NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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BC857AQAZ Hersteller : NXP Semiconductors BC857XQA_SER.pdf NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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BC857AQAZ Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003107807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - BC857AQAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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