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BC857B,235

BC857B,235 Nexperia


bc856_bc857_bc858.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857B,235 Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.

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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .1A PNP BJT
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 11 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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BC857B,235 BC857B,235 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 11 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
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