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BC857B,215

BC857B,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215; BC857B NXP TBC857b
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Technische Details BC857B,215 Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : NXP info-tbc858b.pdf Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215; BC857B NXP TBC857b
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : NXP info-tbc858b.pdf Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215; BC857B NXP TBC857b
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : NXP BC856_BC857_BC858.pdf PNP 45V 0.1A Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=220, SOT-23 -65...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC857B.215 BC857B.215 Транзисторы
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BC857B,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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BC857B,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf PNP 45V 0.1A Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=220, SOT-23 -65...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
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BC857B,215 BC857B,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857B/SOT23/TO-236AB
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