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Technische Details BC857BFA-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 340MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 435 mW |
auf Bestellung 549000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 340MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC857BFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 340MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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BC857BFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V PNP SM Trans 435mW -100mA |
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