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BC857BFZ-7B

BC857BFZ-7B Diodes Zetex

39838788456379624bc857bfz.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details BC857BFZ-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 925mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 270MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated BC857BFZ.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated BC857BFZ.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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2000+ 0.23 EUR
5000+ 0.22 EUR
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0001070042_1-2542024.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV
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62+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.34 EUR
2500+ 0.32 EUR
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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