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BC857BFZ-7B

BC857BFZ-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details BC857BFZ-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 270MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BC857BFZ-7B nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Zetex 39838788456379624bc857bfz.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Zetex 39838788456379624bc857bfz.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Incorporated BC857BFZ.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Incorporated BC857BFZ.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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100+0.43 EUR
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1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Incorporated BC857BFZ.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV
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100+0.64 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC857BFZ-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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AnzahlPreis
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100+0.43 EUR
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BC857BFZ-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
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AnzahlPreis
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10+1.01 EUR
100+0.64 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
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5000+0.26 EUR
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BC857BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17495 Stücke:
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BC857BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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