BC857BLP4-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.81 EUR |
| 35+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
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Technische Details BC857BLP4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC857BLP4-7 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BC857BLP4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 250mW -45V |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BLP4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857BLP4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857BLP4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
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