BC857BLP4-7 Diodes Incorporated


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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 250mW -45V
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Technische Details BC857BLP4-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857BLP4-7 BC857BLP4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC857BLP4-7 DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
132+1.89 EUR
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
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