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BC857BLT1G

BC857BLT1G ON Semiconductor

bc856alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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30000+0.023 EUR
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
782+0.092 EUR
1042+0.069 EUR
1191+0.06 EUR
1678+0.043 EUR
1954+0.037 EUR
2680+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 782
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC85C057A8663BC0C7&compId=BC856_7_8.PDF?ci_sign=5e456257fb0e5eb3839ac0160fed3fc2af309c4d Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 782
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi BC856ALT1_D-1802086.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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31+0.093 EUR
100+0.058 EUR
500+0.046 EUR
1000+0.039 EUR
3000+0.026 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 54103 Stücke:
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100+0.18 EUR
164+0.11 EUR
269+0.066 EUR
500+0.047 EUR
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18610 Stücke:
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1149000 Stücke:
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BC857BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc856alt1-d.pdf PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 -BC857BLT1 TBC857blt1
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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