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BC857BLT1G

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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
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100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON-Semiconductor BC856ALT1-D_ON.pdf PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 -BC857BLT1 TBC857blt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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556+0.13 EUR
893+0.08 EUR
1534+0.047 EUR
2223+0.032 EUR
2578+0.028 EUR
3206+0.022 EUR
6000+0.02 EUR
9000+0.018 EUR
15000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1231 Stücke:
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100+0.18 EUR
157+0.11 EUR
256+0.069 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25494 Stücke:
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25494 Stücke:
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BLT1G Hersteller : On Semiconductor bc856alt1-d.pdf SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BC857BLT1G Hersteller : ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC857BLT1G BC857BLT1G Hersteller : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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