BC857BMB,315 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006B-3
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 91+ | 0.24 EUR |
| 147+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 2000+ | 0.081 EUR |
| 5000+ | 0.07 EUR |
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Technische Details BC857BMB,315 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1006B, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857xMB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC857BMB,315 nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC857BMB,315 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3 |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xMB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC857BMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1006B Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC857xMB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC857BMB,315 |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3
Bipolar Transistors - BJT BC857BMB/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.99 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2500+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.088 EUR |
| BC857BMB,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857BMB,315 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC857BMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857xMB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



