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BC857BQBZ

BC857BQBZ Nexperia

bc857xqb_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
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Technische Details BC857BQBZ Nexperia

Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 340 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857BQBZ BC857BQBZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857XQB_SER.pdf Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
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BC857BQBZ BC857BQBZ Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857XQB_SER.pdf Description: TRANS 45V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 340 mW
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BC857BQBZ BC857BQBZ Hersteller : Nexperia BC857XQB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BQB/SOT8015/DFN1110D-3
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