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BC857BT116

BC857BT116 Rohm Semiconductor

bc857bu3t106-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details BC857BT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC857BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: Unknown, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: Unknown, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857BT116 BC857BT116 Rohm Semiconductor bc857bu3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857BT116 BC857BT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC857B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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805+0.21 EUR
1070+0.15 EUR
1210+0.13 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
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BC857BT116 BC857BT116 Rohm Semiconductor bc857bu3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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493+0.33 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 5488 Stücke:
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36+0.58 EUR
58+0.37 EUR
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
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364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
944+0.23 EUR
1270+0.17 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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auf Bestellung 3523 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
493+0.35 EUR
805+0.21 EUR
1070+0.15 EUR
1210+0.13 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
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BC857BT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7743 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1038 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
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auf Bestellung 3523 Stücke:
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303+0.57 EUR
493+0.33 EUR
805+0.2 EUR
1070+0.14 EUR
1210+0.12 EUR
3000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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BC857BT116 datasheet?p=BC857B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BC857BT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
auf Bestellung 5488 Stücke:
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58+0.37 EUR
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1000+0.14 EUR
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BC857BT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: Unknown
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: Unknown
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
944+0.23 EUR
1270+0.17 EUR
1448+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
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