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BC857BTT1G

BC857BTT1G ON Semiconductor


bc857btt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details BC857BTT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : onsemi bc857btt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 24000 Stücke:
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
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1450+0.10 EUR
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 5985 Stücke:
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1450+0.10 EUR
2387+0.06 EUR
2410+0.06 EUR
3938+0.03 EUR
3985+0.03 EUR
4133+0.03 EUR
4292+0.03 EUR
4485+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1450
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ONSEMI bc857btt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
685+0.10 EUR
1102+0.07 EUR
1548+0.05 EUR
2841+0.03 EUR
3013+0.02 EUR
24000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ONSEMI bc857btt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 4399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
685+0.10 EUR
1102+0.07 EUR
1548+0.05 EUR
2841+0.03 EUR
3013+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : onsemi bc857btt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 26403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.23 EUR
124+0.14 EUR
201+0.09 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ON Semiconductor bc857btt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : ONSEMI 2354480.pdf Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC857BTT1G BC857BTT1G Hersteller : onsemi BC857BTT1_D-1387717.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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