Technische Details BC857BU3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC857BU3T106 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA |
auf Bestellung 2690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857BU3T106 | ROHM |
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor |
auf Bestellung 3594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 84 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 84 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.52 EUR |
| 65+ | 0.32 EUR |
| 105+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 432+ | 0.58 EUR |
| 736+ | 0.32 EUR |
| 1163+ | 0.18 EUR |
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.58 EUR |
| 736+ | 0.32 EUR |
| 1163+ | 0.18 EUR |
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor
auf Bestellung 3594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.09 EUR |
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC857BU3T106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)