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BC857BV,115

BC857BV,115 Nexperia

bc857bv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details BC857BV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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Mindestbestellmenge: 4000
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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Anzahl Preis
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8000+0.12 EUR
12000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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530+0.27 EUR
772+0.18 EUR
1008+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 525
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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Mindestbestellmenge: 28
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia BC857BV.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA PNP general purpose double transistor
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10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
4000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : NEXPERIA 673455.pdf Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : NEXPERIA 673455.pdf Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3655 Stücke:
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : NEXPERIA bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BC857BV,115 Hersteller : NEXPERIA BC857BV.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT666
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT666
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC857BV,115 BC857BV,115 Hersteller : Nexperia bc857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC857BV,115 Hersteller : NEXPERIA BC857BV.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT666
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT666
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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