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BC857BW,115

BC857BW,115 Nexperia

bc856w_bc857w_bc858w.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
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7247+0.02 EUR
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Technische Details BC857BW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
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3000+0.037 EUR
6000+0.033 EUR
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2922862F551BF&compId=BC857BW.115-DTE.pdf?ci_sign=38f9b657213274abdce2c235d962ccf002cc5124 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
605+0.12 EUR
878+0.082 EUR
1323+0.054 EUR
1619+0.044 EUR
3103+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 605
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2922862F551BF&compId=BC857BW.115-DTE.pdf?ci_sign=38f9b657213274abdce2c235d962ccf002cc5124 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 605
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856W_BC857W_BC858W.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 23120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
150+0.12 EUR
243+0.073 EUR
500+0.053 EUR
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia BC856W_BC857W_BC858W.pdf Bipolar Transistors - BJT 65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors
auf Bestellung 54875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+0.21 EUR
24+0.12 EUR
100+0.072 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.046 EUR
3000+0.028 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17895 Stücke:
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS08627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA 690637.pdf Description: NEXPERIA - BC857BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NEXPERIA bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : Nexperia bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857BW,115 Hersteller : NXP BC856W_BC857W_BC858W.pdf Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC857BW,115; BC857BW.115; BC857BW.135; BC857BW,135; BC857BW SMD; BC857BW,115 TBC857b w
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BC857BW,115 BC857BW,115 Hersteller : NXP Semiconductors bc856w_bc857w_bc858w.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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