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BC857BW-QX Nexperia


bc856w-q_bc857w-q_bc858w-q.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857BW-QX Nexperia

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857BW-QX BC857BW-QX Nexperia USA Inc. BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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BC857BW-QX BC857BW-QX Nexperia BC856W-Q_BC857W-Q_BC858W-Q.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857BW-Q/SOT323/SC-70
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
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