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BC857BWT1G
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BC857BWT1G ONSEMI

bc856bwt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Technische Details BC857BWT1G ONSEMI

Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 150 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857BWT1G BC857BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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BC857BWT1G BC857BWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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BC857BWT1G BC857BWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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BC857BWT1G BC857BWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
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Power - Max: 150 mW
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BC857BWT1G Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856BWT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,15, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
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verfügbar 240 Stücke:
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