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BC857C-7-F

BC857C-7-F Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC857C-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857C-7-F BC857C-7-F Diodes Zetex bc856abc858c.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857C-7-F BC857C-7-F Diodes Zetex bc856abc858c.pdf description Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC857C-7-F BC857C-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf description Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC857C-7-F BC857C-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf description Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23
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BC857C-7-F BC857C-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 190 Stücke:
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BC857C-7-F BC857C-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC857C-7-F DIODES, INC. ds11207.pdf description PNP 45V 100mA 250mW, hFE=420-800, 250MHz -55..150°C, SOT-23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC857C-7-F description DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857C-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BC857C-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
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PNP 45V 100mA 250mW, hFE=420-800, 250MHz -55..150°C, SOT-23
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