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BC857CM,315

BC857CM,315 Nexperia

bc857mseries.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857CM,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 430mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC857M, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857CM,315 BC857CM,315 Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC857CM,315 BC857CM,315 Nexperia bc857mseries.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 430mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
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BC857CM,315 BC857CM,315 Nexperia BC857M_SERIES.pdf Bipolar Transistors - BJT BC857CM/SOT883/XQFN3
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14+0.25 EUR
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BC857CM,315 BC857CM,315 Nexperia USA Inc. BC857M_SERIES.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 1682 Stücke:
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50+0.42 EUR
83+0.25 EUR
134+0.15 EUR
500+0.11 EUR
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BC857CM,315 BC857CM,315 NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3958 Stücke:
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BC857CM,315 BC857CM,315 NEXPERIA PIRSS03136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
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Supplier Device Package: SOT-883
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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BC857CM,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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629+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 393 Stücke
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BC857CM,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC857CM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 430 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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