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BC857CWT1G

BC857CWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 44429 Stücke:
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4673+0.031 EUR
5781+0.024 EUR
6494+0.021 EUR
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Technische Details BC857CWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Anzahl Preis
1755+0.082 EUR
3185+0.044 EUR
3226+0.042 EUR
4609+0.028 EUR
4673+0.027 EUR
5781+0.021 EUR
6494+0.017 EUR
8000+0.014 EUR
10310+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13572 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
612+0.12 EUR
820+0.087 EUR
1276+0.056 EUR
1613+0.044 EUR
2618+0.027 EUR
3247+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 612
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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2618+0.027 EUR
3247+0.022 EUR
3425+0.021 EUR
3572+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 612
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : onsemi BC856BWT1_D-1387643.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
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Anzahl Preis
19+0.15 EUR
31+0.092 EUR
100+0.063 EUR
500+0.049 EUR
1000+0.046 EUR
3000+0.028 EUR
6000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12800 Stücke:
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Anzahl Preis
84+0.21 EUR
139+0.13 EUR
226+0.078 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34225 Stücke:
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BC857CWT1G BC857CWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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