| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.31 EUR |
| 20+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 500+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.067 EUR |
| 3000+ | 0.058 EUR |
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Technische Details BC857CWT1G onsemi
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC857CWT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC857CWT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC857CWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC857CWT1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC857CWT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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| BC857CWT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Verlustleistung: 150mW
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| BC857CWT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857CWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
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