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BC857SH6327XTSA1

BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies

bc856s_bc856u_bc857s.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 250mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
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431+0.39 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
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51+0.42 EUR
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500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BC856S_BC856U_BC857S-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.94 EUR
432+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1038+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4545 Stücke:
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432+0.54 EUR
685+0.31 EUR
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies bc856s_bc856u_bc857s.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14415 Stücke:
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8860 Stücke:
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264+0.67 EUR
431+0.39 EUR
685+0.24 EUR
921+0.17 EUR
1037+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 67608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.69 EUR
51+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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BC857SH6327XTSA1 Infineon-BC856S_BC856U_BC857S-DS-v01_01-en.pdf
BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
auf Bestellung 70262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.8 EUR
10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857SH6327XTSA1 INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
267+0.94 EUR
432+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1038+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857SH6327XTSA1 INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
267+0.94 EUR
432+0.54 EUR
685+0.31 EUR
918+0.24 EUR
1038+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857SH6327XTSA1 bc856s_bc856u_bc857s.pdf
BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857SH6327XTSA1 bc856s_bc856u_bc857s.pdf
BC857SH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH