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BC857SH6327XTSA1

BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies

bc856s_bc856u_bc857s.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC857SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 250mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc856s_bc856u_bc857s.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BC856S_BC856U_BC857S-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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14+0.2 EUR
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500+0.097 EUR
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3000+0.07 EUR
6000+0.069 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
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51+0.35 EUR
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auf Bestellung 14415 Stücke:
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Anzahl Preis
22+6.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS16506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC857SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 250mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11400 Stücke:
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc856s_bc856u_bc857s.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BC857SH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES bc856s_bc856u_bc857s.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca38901154200fdcd16ef Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT363; double
Semiconductor structure: double
Type of transistor: PNP x2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Application: automotive industry
Current gain: 200
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC857SH6327XTSA1 BC857SH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc856s_bc856u_bc857s.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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