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BC857WH RFG

BC857WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation

pdf.php?pn=BC857WH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 100MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BC857WH RFG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: 100MA, -50V PNP TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC857WH RFG BC857WH RFG Taiwan Semiconductor bc856bwhseries_a2504.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
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BC857WH RFG BC857WH RFG Taiwan Semiconductor bc856bwhseries_a2504.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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BC857WH RFG BC857WH RFG Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=BC857WH Bipolar Transistors - BJT 100mA, -50V PNP transistor
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Description: 100MA, -50V PNP TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
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