BC858A SHIKUES
Hersteller: SHIKUESTransistor PNP; 220; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858ALT1G; BC858AE6327HTSA1; BC858A RFG; BC858A-7-F; BC858A-TP; BC858A SHIKUES TBC858a SHK
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Technische Details BC858A SHIKUES
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC858A nach Preis ab 0.014 EUR bis 0.17 EUR
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BC858A Produktcode: 2026
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Hersteller : Infineon |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 fT: 150 MHz U, V: 30 U, V: 30 I, А: 0.1 h21,max: 220 ZCODE: 8541 21 00 90 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 2613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP |
auf Bestellung 13588 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858A | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC858A | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC858A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC858A | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
BC858A-YAN PNP SMD transistors |
auf Bestellung 4391 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC858A | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
BC858A-DIO PNP SMD transistors |
auf Bestellung 4444 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC858A | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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BC858A | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23, -30V, -0.1A, PNP Transistor |
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BC858A | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,125-250HFE |
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BC858A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858A | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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