BC858ALT1G ON Semiconductor
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Technische Details BC858ALT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote BC858ALT1G nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.27 EUR
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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BC858ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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BC858ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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BC858ALT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
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BC858ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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BC858ALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 225mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100mA SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858ALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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