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BC858B,215

BC858B,215 Nexperia

bc856_bc857_bc858.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC858B,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC858, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NXP Semiconductors bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NXP Semiconductors bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NXP Semiconductors bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
628+0.11 EUR
893+0.08 EUR
1112+0.06 EUR
2000+0.04 EUR
2451+0.03 EUR
4902+0.02 EUR
4903+0.01 EUR
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NEXPERIA BC856_BC857_BC858.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : Nexperia BC856_BC857_BC858.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistor
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Anzahl Preis
17+0.17 EUR
34+0.08 EUR
100+0.06 EUR
500+0.04 EUR
1000+0.03 EUR
3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC856_BC857_BC858.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 23054 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.18 EUR
154+0.11 EUR
253+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : Nexperia bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NEXPERIA 3205167.pdf Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC858
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 38948 Stücke:
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NEXPERIA 3205167.pdf Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC858
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC858B,215 BC858B,215 Hersteller : NEXPERIA bc856_bc857_bc858.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC858B,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BC856_BC857_BC858.pdf Транзистор PNP; Ptot, Вт = 0,25; Uceo, В = 30; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 220 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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