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BC858B-7-F

BC858B-7-F Diodes Incorporated

ds11207.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details BC858B-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC858B-7-F BC858B-7-F DIODES INC. ds11207.pdf Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2366 Stücke:
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1583+0.13 EUR
2174+0.099 EUR
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BC858B-7-F BC858B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0011538025-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC858B-7-F BC858B-7-F Diodes Incorporated ds11207.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
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100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
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3000+0.067 EUR
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BC858B-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Wandlerpolarität: PNP
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BC858B-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC858B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
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