BC858BWT106

BC858BWT106 ROHM Semiconductor


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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1MA
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Technische Details BC858BWT106 ROHM Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC858BWT106 BC858BWT106 Hersteller : Rohm Semiconductor bc858bt116-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R
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