| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.43 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details BC858BWT106 ROHM Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.
Weitere Produktangebote BC858BWT106
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BC858BWT106 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BC858BWT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R |
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BC858BWT106 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin UMT T/R |
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| BC858BWT106 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
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