BC858CLT3G ON Semiconductor
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Technische Details BC858CLT3G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote BC858CLT3G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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BC858CLT3G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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BC858CLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC858CLT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
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BC858CLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 137781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC858CLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC858CLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC858CLT3G | Hersteller : ONSEMI |
BC858CLT3G PNP SMD transistors |
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BC858CLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858CLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 520 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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